专利摘要:

公开号:WO1987001900A1
申请号:PCT/JP1986/000491
申请日:1986-09-22
公开日:1987-03-26
发明作者:Takeshi Takayama
申请人:Sumitomo Heavy Industries, Ltd.;
IPC主号:H05H13-00
专利说明:
[0001] 明 細
[0002] 磁気共振型加速器への荷電粒子の入射方法及び
[0003] この入射方法が用いられた磁気共振型加速器
[0004] 技 術 分 野
[0005] こ の発明は シ ン ク ロ ト ロ ン、 蓄積リ ン グまたは衝突リ ン グ等 の中心平衡軌道を含む周回軌道を持つ磁気共振型加速器に関し 特に磁気共振型加速器へ荷電粒子を入射する入射方法及びこの 入射方法を用いた磁気共振型加速器に関する。
[0006] 背 景 技 術
[0007] 従来から周回軌道を持つシ ン ク ロ ト ロ ン等の磁気共振型加速 器が知られており、 近年、 このシ ン ク ロ ト ロ ンを用いた S O R 装置が超 L S I 等の微細加工用の X線露光装置の光源として提 案されている。
[0008] このような磁気共振型加速器にはパータべイ タ (あるいはキ ッ カー) と称される平衡軌道を変位させるための電磁石、 及び 磁場あるいは電場を直流的に発生させ、 荷電粒子を周回軌道に 導く ためのィ ン フ レ ク タが備えられている。
[0009] 従来の磁気共振型加速器の場合、 平衡軌道上の複数の箇所に 偏向要素及び集束要素が配置されており、 イ ン フ レ ク タによつ て入射軌道に導かれた荷電粒子は、 上述のパータべイ タによつ て変位させられた平衡軌道に入射する。 その後、 パータべイ タ による磁場を弱めて上記の変位した平衡軌道を元に戻して、 荷 電粒子の入射が完了する。
[0010] ところで、 X線露光装置の光源として S 0 R装置を用いる場 合磁気共振型加速器を小型化する必要がある。 ところが、 磁気 共振型加速器を小型化し、 荷電粒子を高いェネルギ一で入射す るためには極めて高速で変化し、 しかも大強度の磁場を究生す ることのできるパータべィ タ等の電磁石が必要となる。 しかし ながら、 電磁石で実現できる磁場の強度及び応答速度には限界 があり、 従って、 磁気共振型加速器を小型化することが建しい。 一方、 極めて弱い磁場で荷電粒子を入射、 蓄積して、 加速す るようにした場合、 蓄積荷電粒子の寿命が短く、 従って充分な 量の荷電粒子を蓄積することができない。
[0011] 従って、 この発明の目的は小型で、 しかもパータべイ タが高 速度かつ大強度の磁場を発生する必要のない荷電粒子の入射方 法及びその装置を提供することにある。
[0012] 発明の開示
[0013] この発明では、 中心平衡軌道を含む周回軌道を規定する磁気 共振型加速器に、 荷電粒子を中心平衡軌道上に入射する荷電粒 子の入射方法において、 この荷電粒子に対し、 水平方向ベータ ト ロ ン振動数が 1 /2 となるような共鳴軌道を形成させる段階と、 この共鳴軌道を時間的に変化させ、 荷電粒子を中心平衡軌道に 入射する段階とを含む入射方法が得られる。
[0014] 上述の入射方法が適用された磁気共振型加速器として、 荷電 粒子を入射軌道に導く イ ン フ レ ク タ と、 周回軌道に与えられる 主磁場に重畳して 8極磁場を集束成分とする非線形磁場を発生 させ、 この非線形磁場で水平方向ベータ ト ロ ン振動数が 1/2 と なる共鳴軌道を形成する第 1 の電磁石と、 4極磁場を主成分と し、 時間的に変化する磁場を発生し、 共鳴軌道を時間的に変化 させる第 2 の電磁石とを備える磁気共振型加速器が得られる。 さらには、 荷電粒子を入射軌道に導く イ ン フ レ ク タ と、 周回軌 道に主磁場を与える第 1 の電磁石と、 8極磁場を主集束成分と する非線形磁場を発生させ、 この非線形磁場で水平方向ペータ ト ロ ン振動数が 1 /2 となる共鳴軌道を形成する第 2 の電磁石と を備えて、 この 8極磁場を時間的に変化させて、 共鳴軌道を時 間的に変化させる磁気共振型加速器が得られる。
[0015] 図面の簡単な説明
[0016] 第 1図はこの発明が適用できる磁気共振型加速器を示す平面 断面図である。
[0017] 第 2図は第 1図の A— A線に沿う新面図である。
[0018] 第 3図及び第 4図は第 1図の磁気共振型加速器の入射動作を 説明する図である。
[0019] 第 5図は本発明による磁気共振型加速器の第 1 の実施例を概 略的に示す図である。
[0020] 第 8図は平衡軌道を概略的に示す図である。
[0021] 第 7図は本発明の第 1 の実施例において平衡軌道上の磁場分 布を示す図である。
[0022] 第 8図は第 1 の実施例においてパータべィ 夕が存在しない場 合の平衡軌道半径方向の位相プロ ッ トを示す図である。
[0023] 第 9図及び第 1 0図はそれぞれ本発明の第 1 の実施例の動作 を説明するための軌道及び位相プロ ッ トを示す図である。
[0024] 第 1 1図は本発明の第 1の実施例において荷電粒子の入射軌 道のみの位相プロ ッ トを示す図である。
[0025] 第 1 2図は本発明による磁気共振型加速器の第 2の実施例を 概略的に示す図である。
[0026] 第 1 3図は平衡軌道を概 的に示す図である。
[0027] 第 1 4図は本発明の第 2の実施例における中心平衡軌道上の 磁場分布を示す図である。
[0028] 第 1 5図は本発明の第 2の実施例において 8極磁場が形成さ れていない場合の荷電粒子の位相図である。
[0029] 第 1 6図は本発明の第 2の実施例に用いられるパータべィ タ の磁場分布を示す図で る。
[0030] 第 1 7図及び第 1 8図は本発明の第 2の実施例における平衡 軌道上の位相図である。
[0031] 発明を実施するための最良の形態
[0032] まず、 こ の発明を容易に理解するため、 第 1図乃至第 4図を 参照して、 磁気共振型加速器について説明する。
[0033] 第 1図及び第 2図には磁気共振型加速器が示されている。 図 示の磁気共振型加速器は内側に空間を規定する鉄芯 1 1を有し、 こ の鉄芯 1 1の内壁に沿って一対のコ イ ル 1 2が配置されてい る。 また空間内には、 円環状の真空ダク ト 1 3が位置付けられ この真空ダク ト 1 3は支持台 1 4により支持されており、 真空 状態に保たれる。 さ らに、 真空ダク ト 13で囲まれた内部空間 には、 も う一対のコ イ ル 1 5が配置され、 コ イ ル 1 5は支持台 16によって支持されている。 こ こで、 真空ダク ト 13内には 平衡軌道 TRを含む周回軌道が形成され、 コイ ル 12及び 15 から構成される電磁石は平衡軌道 T Rによつて規定される面に 対して垂直方向に.主磁場を発生する。
[0034] —方、 真空ダク ト 13内には、 入射器 (図示せず) で加速さ れ、 入射ビーム ラ イ ン 17を通して打ち込まれた荷電粒子を周 回軌道上に導く イ ン フ レ ク タ 1 8が配置されている。 また、 真 空ダク ト 13内には、 平衡軌道 T Rを変位させるためのパータ ペイ タ 19とが配置されている。 このパータべィ タ 19は双極 磁場を主に発生する。
[0035] 即ち、 第 3図に示すようにパータべイ タ 1 9は平衡軌道 TR を変位させて変位平衡軌道 TR' を提供する。 そして、 この変 位平衡軌道 TR' にイ ン フ レ ク タ 18から荷電粒子 ( ビーム) を入射しつつ、 パータべイ タ 19の磁場を弱めていき、 変位平 衡軌道を徐々に元の平衡軌道 TRに戻し、 荷電粒子の入射が完 了する。
[0036] こ こで、 第 4図を参照して、 入射機構について詳細に説明す る。 第 4図は第 3図の B— B' 線上に於ける半径方向運動の位 相図である。 なお、 こ こでは 4回転して元にもどるベータ ト ロ ン振動を考える。
[0037] 第 4図において、 Xは元の平衡軌 T Rからの水平方向の変位、 X' は平衡軌道 TRの煩きを表す。 さらに、 参照番号 0はパー 夕べイ タ 19により変位された変位平衡軌道 TR' 、 1は入射 軌道、 2は入射されて周回軌道を一周した後の軌道である。 軌 道 2は、 平衡軌道 0のまわりにベータ ト ロ ン振動するため、 平 衡軌道 0を中心にベータ ト ロン振動で定まる角度だけ回転した 位置にある。 参照番号 3 、 4および 5は、 入射後二、 三、 およ び四周した後の執道をそれぞれ表している。 軌道 5が入射軌道 1の位置に来ないのは、 変位した平衡軌道 0が、 パータべイ タ 1 9が弱まるにつれて矢印の方向に移動するためである。 入射 軌道 1 と軌道 5 との間隙が充分大きいことが荷電粒子がィ ン フ レク タ 1 8に衝突しない条件である。
[0038] 第 5図を参照して、 本発明の第 1 の実施例について説明する。 なおこの実施 ^(では、 入射ビーム ラ イ ン 1 7、 イ ン フ レ ク タ 1 8、 パータべイ タ 1 9、 及び平衡軌道 T Rのみを示し、 第 1図 に示す他の要素は省略している。
[0039] - 第 1 の実施^では第 1図に示すコ イ ル 1 2及び 1 5から構成 される電磁石から平衡軌道 T Rによつて規定される面に 8極磁 場を集束成分とする非線形磁場が発生される。 一方、 パー夕べ イ タ 1 9は 4極磁場を主成分とする磁場を発生し、 こ の磁場は パータべィ タ 1 9を制御するこ とによって時間的に変化する。
[0040] こ こで、 平衡軌道 T Rに対して第 6図に示す座標系をとれば、 r一 S面状の磁場分布は第①式で表される。 ζ ( ξ ) = Β ζο ( 1 - n ^ + K2 + Κ3Γ + ··· )
[0041] ① ξ― ( r一 r eq) / r eq こ こで B z oは中心平衛軌道 T R上の Z軸方向の磁場、 r eqは中 心平衡軌道 T Rの半径である。 nはビームを集束させるための パラ メ ータ、 K2 、 K3 …はパラ メ ータであ り、 上式で示され る磁場分布は第 7図に示すように 8極成分を持っている。
[0042] 次に第 6図において点 Dの位置を 0 = 0。 とし、 この場所で の軌道の位相プロ ッ ト図を参照して、 入射機構を説明する。 第 8図に、 パータペイ タ 1 9がない場合の r方向運動の位相プロ ッ トを示す。 第 8図において、 符号 Xはベータ ト ロ ン振動の振 幅が小さい軌道のプロ ッ トで、 この場合、 ベータ ト ロ ン振動数 が 1 / 2 より大きいので、 図中の数字の顧にしたがう ように振動 しながら矢印の方向にまわる。 と ころで磁場 B zi f ) が第 7図 に示すように 8極成分を有すると、 ベータ ト ロ ン振動の振幅が 大き く なるにつれて、 ベータ ト ロ ン振動数は小さ く なつてい く c ベータ ト ロン振動数が 1 / 2 の場合の軌道が第 8図における符号 Yで表されており、 ベータ ト ロ ン振動数が 1 / 2 の時、 荷電粒子 は番号 1 ' と 2 ' との間で振動するだけになる。 更にベータ ト ロ ン振動振幅が增すと、 ベータ ト ロ ン振動数は 1 / 2 iり小さ く なり、 荷電粒子の軌道は第 8図において符号 Zで表される軌道 となり、 荷電粒子は軌道 Xの場合とは反対方向にまわるように なる。
[0043] —方、 第 5図に示すようにバー夕べイ タ 1 9を備えると、 2 点間を振動する軌道 Yで安定な軌道は第 9図に示す軌道 2 1 の ように、 パータべィ タ 1 9の位置に節を持つ軌道のみになる。 位相プロ ッ トでは、 第 1 0図に示すように、 移動しない軌道の まわりに回転するニグループの軌道と、 安定領域外の軌道との グループに分類される。 軌道 2 2は、 第 8図における状態 に おいて中心平衡軌道 T Rのまわりに回転するグループに属する < 軌道 2 3のグループは、 左右の閉じた領域の間を振動しながら 軌道 2 1 のまわり を回転する。 軌道 2 4は、 第 8図における状 態 Zにおいて軌道 2 2および 2 3 をつつむように回転するグル ープである。 軌道 2 5は安定領域に捕足されずに飛び去るグル ープに属する。 そして、 軌道 2 3の領域の大き さはパータべィ タ 1 9の強さに対応する。
[0044] 第 1 0図を参照して、 荷電粒子の入射は、 外部から軌道 2 5 に沿って A方向から行われる。 B点にきたところで、 イ ン フ レ クタ 1 8により荷電粒子は C点に移動する。 軌道 2 3に沿って 振動しながら移動する際、 荷電粒子が軌道 2 2に近づく につれ てパータべィ タ 1 9を弱めれば、 荷電粒子は軌道 2 2のように 中心平衡軌道 T Rのまわりに振動しながら回転する軌道に移る。 このように、 軌道 2 2の領域に捕足された軌道は、 再び C点の 位置まで振幅が大き く なることはないので、 イ ン フ レ ク タ 1 8 に衝突するこ とはない。 なお、 入射軌道のみ位相プロ ツ トする と、 第 1 1図に示すようになる。 ただし、 番号は入射以後 0 = 0 ° を通過する回数を表す。
[0045] このように第 1の実施^では、 8極磁場を捕助的な集束成分 とする非線形磁場によって、 ベータ ト ロ ン振動数が 1/2 となる 共鳴軌道を作り、 パー タ ペイ タ 1 9から発生する 4極磁場を主 成分とする磁場を時間的に変化させるこ とによって、 つま り、 共鳴軌道のまわりにベータ ト ロ ン振動する軌道を入射に利用し ているからィ ン フ レ ク タ 1 8の負担が軽減される。 パータべィ タ 1 9の強さ及び時間的変化の速さが軽減される。 小型強磁場 の蓄積リ ングにビームを入射できる。 入射軌道と入射後の周回 軌道間の間隙が大き く 、 従って入射効率の改善となる。
[0046] ところで、 第 1 の実施例の場合、 8極磁場が静的に残ってい るため、 例えば、 電子あるいは陽電子等の荷電粒子は光を発し て発散してし まい、 入射効率の改善には限界がある。
[0047] そこで、 入射効率の改善をはかった第 2の実施例について説 明する。
[0048] 第 1 2図に本発明による第 2の実施例を示す。 なおこの実施 例では、 第 1 の実施例と同様に、 入射ビーム ラ イ ン 1 7、 イ ン フ レ ク タ 1 8、 パータべイ タ 1 9、 及び平衡軌道 T Rのみを示 し、 第 1図に示す他の要素は省略している。
[0049] 第 2の実施例では第 1図に示すコ イ ル 1 2及び 1 5から搆成 される電磁石から平衡軌道 T Rによって規定される面に主磁場 が与えられている。 一方、 バータべィ タ 1 9は 8極磁場を主集 束成分とする非線形磁場を形成し、 パータべイ タ 1 9を制御す るこ とによって、 この非線形磁場は時間的に変化する。
[0050] 中心平衡軌道 T R上には紙面に垂直に磁場 B zoが加えられて おり、 この結果、 高ヱネルギ一の荷電粒子はこの磁場によって 偏向され、 中心平衡軌道 T Rは閉軌道となる。 また、 上記の磁 場は半径方向外方に向かってその強さが減少する分布となって おり、 従って、 中心平衡軌道 T Rから微小変位した荷電粒子に は中心軌道に向かって集束力が働く。
[0051] こ こで、 中心平衡軌道 T Rに対して第 1 3図に示すように座 標系をとれば、 r一 5面状の磁場分布は前述の第①式で示され る。
[0052] また、 第 1 3図に示すように、 中心平衡軌道面に射影した粒 子の位置を中心平衡軌道 T Rから半径外方への変位量 Xと基準 点 (例えば、 第 1 2図の A— A ' 点) からの回転角 0 とで表せ ば中心平衡軌道 T Rからの微小変位の運動方程式は第②式で表 される。
[0053] このことから、 水平方向、 及び垂直方向ともにビームを集束 させるためには 0 < η < 1の範囲となるが、 電子あるいは陽電 子が光を出しながら発散しないためには、 即ち、 振動が衰退す るためには 0 < η < 0 .75となる。
[0054] ここで、 第 1 2図において、 Α— A ' 線の位置を = 0。 と し、 入射機構について説明する。
[0055] 荷電粒子が入射する場合、 太振幅のベータ ト ロ ン振動を行な うので中心平衡軌道近傍のみならず広い範囲の磁場分布を考慮 しなければならない。 こ こで、 第 1 2図の A— A ' 線における 磁場分布を第 1 4図に示す。 第 1 4図における点 Xiは n > 1 、 B zo · r eq= B z (x t ) - ( r eq+ x i ) に対応する点である。 次に A— A ' 線における位相図を第 1 5図に示す。 なお、 第 1 5図 においては 8極磁場は形成されていない。 即ち、 パー夕べイ タ 1 9を備えていない場合の X方向 (半径方向) の位相図である < 第 1 4図に示す点 Xiに対応する点が第 1 5図において χ2で示さ れ、 この点は不安定な不動点である。 そして、 こ の x2を通る 2 6で示すセパラ ト リ ッ クス線によって安定領域と不安定領域と に分けられる。 セパラ ト リ ッ ク ス線 2 6の外側から入射された 荷電粒子は安定領域に入ることなく軌跡 2 7あるいは 2 8を描 いて飛び去ってしまう (第 1 5図) 。 即ち、 イ ン フ レクタ 1 8 が備えられていないと、 外部から入射した荷電粒子は飛び去つ てしま う。 イ ン フ レ ク タ 1 8は入射された荷電粒子をセパラ ト リ ッ ク ス線 26の内部、 即ち安定領域に導く作用をするが、 荷 電粒子は軌跡 29を描いて再度ィ ン フ レ ク タ 18の位置に戻り、 イ ン フ レ ク タ 18に当たって失われる (第 15図では荷電粒子 は点 29 a、 29 b、 29 c、 ·"、 29 iの頗で軌跡を描き、 再度ィ ン フ レ ク タ 18の位置に戻る) 。
[0056] —方、 この実施例では第 12図に示したように 8極磁場を主 成分とする非線形磁場を発生するパータべィ タ 19が備えられ ている。 こ こで、 実際のパータべイ タ 19の磁場分布を第 1 2 図の B— B' 線断面の軌道面上の磁場分布で示すと、 第 16図 のようになる。
[0057] パータべイ タ 19を励磁する と、 即ち、 8極磁場を発生して、 氷平方向べ一タ ト π ン据動数が 1/2 とな'る共鳴軌道を形成する と第 12図の A— A' 線断 Sにおける位相図は第 17図で示さ れるようになる (第 17図では軌跻は示さず、 各軌跡を結んだ 曲線を示している) 。 パータべィ タ 1 9による 8極磁場によつ てセパラ ト リ ッ ク ス線 26の内部にセパラ ト リ ッ ク ス線 30が 形成される。 そして、 セパラ ト リ ッ ク ス線 30内の安定軌道軌 跡は 3 1のように矢印の方向に移動する。 またセパラ ト リ ッ ク ス線 30外の軌跡曲線は 32、 32' で示すグループと 33、 33' で示すグループに分かれる。 尚、 軌 曲線 32、 32' 、 及び軌跡曲線 33、 33 ' は加速器内を荷電粒子が 1回転する ごとに交互に振動する軌跡で搆成されており、 それぞれのグル ープは同一の軌銥である。
[0058] 第 18図も参照して、 セパラ ト リ ッ ク ス線 30の領域の大き さはパータべィ タ 19の強さに対応する。 荷電粒子は外部から 軌道 2 7に沿って入射される。 荷電粒子が B点に達したところ で、 イ ン フ レク タ 1 8によって点 Bから軌跡 3 2 a ( C点) に 移動させる。 一方、 パータペイ タ 1 9による磁場を時間的に弱 めると、 前述のようにセパラ ト リ ッ ク ス線 3 0の領域は大き く なる。 軌跡 3 2 aに移動した荷電粒子は執跡 3 2 a、 3 2 b、 '"の顧にベータ ト ロ ン振動しながら、 セノ、'ラ ト リ ツ ク ス線 3 0 に近づく。 この時、 バータべイ タ 1 9による磁場を弱めればセ パラ ト リ ッ ク ス線 3 0の領域は大き く なるから、 荷電粒子はセ パラ ト リ ッ ク ス線 3 0の内部に捕獲される。 即ち、 荷電粒子の 軌道は軌跡 3 1 a、 3 1 b、 3 1 c、 …で示すように中心平衡 軌道のまわりに振動しながら回転する軌道となる。 このように セパラ ト リ ッ ク ス線 3 0の領域に捕獲された荷電粒子の軌道は、 再び点 3 2 aの位置まで振幅が大き く なるこ とはないので、 ィ ン フ レ ク タ 1 8に衝突するこ とはない。
[0059] 上述の荷電粒子のセパラ ト リ ,プ ク ス線 3 0の領域内への捕獲 の際、 パータべイ タ 1 9の磁場の変化量は少な く てよ く、 従つ てパータべィ タ 1 9の磁束変化速度を荷電粒子が軌道を回転す る速度に比べて十分遅くすることができる。 即ち、 小型の装置 でも上述の変化速度を実現することができ る。 また、 第 1 8図 に示す B点から点 3 2 a までの鉅離は極めて短いから、 ィ ン フ レ ク タ 1 8の負担は少な く、 従って高エネルギ一の荷電粒子を 入射することもできる。
[0060] ところで、 荷電粒子の入射後は、 パータべイ タ 1 9の 8極磁 場はな く なるため、 セパラ ト リ ッ クス線 3 0の内部領域に捕獲 された荷電粒子の実効的な nの値は前述のように n < 0 .75とな る。 従って、 電子あるいは陽電子の場合でも光放射によるエ ミ ッ タ ン スの減衰が起こ り、 発散するこ とはない。
[0061] このように第 2の実施例では、 入射時のターン セパレーシ ョ ンが大きいので入射効率を改善するこ とができ、 高い磁場で、 高エネルギーの荷電粒子を入射することができる。 従って、 電 子あるいは陽電子の場合、 光放射によるェ ミ ツ タ ン スの減衰が 早く 、 再度パータべイ タを励磁しても安定領域の外へ発散する ことがない。
[0062] この発明のおいては、 ベータ ト ロ ン振動数が 1 / 2 となるよう な共鳴軌道を形成し、 この共鳴軌道を時間的に変化させて荷電 粒子を中心平衡軌道に入射するようにしたから、 パータべイ タ が発生する磁場が弱い場合であっても大振幅で入射した荷電粒 子を中心平衡軌道近く まで移動する こ とができる。 従って、 パ 一夕べィ タの磁束時間変化を荷電粒子の回転速度に比べ、 十分 遅く するこ とができ、 荷電粒子の回転速度の速い小型の磁気共 振型加速器への荷電粒子の入射が可能となる。
[0063] 産業上の利用可能性
[0064] この発明に係る入射方法が適用された磁気共振型加速器は超
[0065] L S I等の徵細加工用の X線露光装置等に用いられる S O R装 置等の光源に適用するこ とができる。
权利要求:
Claims
87/01900 ' ' 一 1 4一 請 求 の 範 囲
* 1 . 中心平衡軌道を含む周回軌道を規定する磁気共振型加速 器に、 荷電粒子を前記中心平衡軌道上に入射する荷電粒子の入 射方法において、 前記荷電粒子に対し、 水平方向ベータ ト ロ ン 振動数が 1/2 とするような共鳴軌道を形成させる段階と、 前記 共鳴軌道を時間的に変化させ、 前記荷電粒子を前記中心平衡軌 道に入射する段潜とを有する荷電粒子の入射方法。
2 . 中心平衡軌道を含む周回軌道を規定する磁気共振型加速 器において、 荷電粒子を入射軌道に導く イ ン フ レクタと、 前記 周回軌道に与えられる主磁場に重畳して、 8極磁場を補助的な 集束成分とする非線形磁場を発生させ、 該非線形磁場で水平方 向ベータ ト ロ ン振動数が 1 /2 となる共鳴軌道を形成する第 1の 電磁石と、 4極磁場を主成分とし、 時間的に変化する磁場を発 生する第 2の電磁石とを有し、 該 4極磁場を変化させて前記共 鳴軌道を変化させ、 前記荷電粒子を前記中心平衡軌道に捕捉す るようにしたことを特徵とする磁気共振型加速器。
3 . 中心平衡軌道を含む周回軌道を規定する磁気共振型加速 器において、 荷電粒子を入射軌道に導く イ ン フ レクタと、 前記 周回軌道に主磁場を与える第 1の電磁石と、 8極磁場を主集束 成分とする非線形磁場を発生させ、 該非線形磁場で水平方向べ 一タ ト ロ ン振動数が 1/2 となる共鳴軌道を形成する第 2の電磁 石とを備え、 該 8極磁場の強さを時間的に変化させて前記共鳴 軌道を変化させ、 前記荷電粒子を前記中心平衡軌道に捕捉する ようにしたことを特徵とする磁気共振型加速器。
4 . 特許請求の範囲第 2または 3項において、 前記ィ ン フ レ ク タ及び第 2の電磁石は前記第 1の電磁石に組み込まれている 01900 ' '
- 1 5 - とを特徴とする磁気共振型加速器,
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Wille2000|The physics of particle accelerators: an introduction
US6545436B1|2003-04-08|Magnetic containment system for the production of radiation from high energy electrons using solid targets
同族专利:
公开号 | 公开日
EP0239646A4|1988-09-07|
DE3673810D1|1990-10-04|
US4849705A|1989-07-18|
EP0239646B1|1990-08-29|
EP0239646A1|1987-10-07|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1987-03-26| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
1987-03-26| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB NL SE |
1987-05-21| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1986905435 Country of ref document: EP |
1987-10-07| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1986905435 Country of ref document: EP |
1990-08-29| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1986905435 Country of ref document: EP |
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
JP60/207791||1985-09-21||
JP20779185A|JPH0561759B2|1985-09-21|1985-09-21||
JP6977586A|JPH0561760B2|1986-03-29|1986-03-29||
JP61/69775||1986-03-29||DE19863673810| DE3673810D1|1985-09-21|1986-09-22|Verfahren zur einfuehrung von geladenen teilchen in magnetische resonanzbeschleuniger und auf genanntem verfahren beruhende magnetische resonanzbeschleuniger.|
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